【IGBT研發工程師】
職位描述：
1.進行MOSFET, IGBT, FRD等功率半導體的器件及工藝仿真,版圖設計和工藝流程制定；
2.器件封裝，測試，特性及失效分析；
3.工藝和設計方案優化，提高產品性能及良率；
4.從產品定義到開發計劃的制定與實施以至定型量產的項目管理；
崗位要求：
1.功率半導體相關工作經驗2年（含）以上，熟悉MOSFET，IGBT, FRD等功率半導體的產品開發流程；
2.具有Wafer Fab實際經驗和MOSFET，IGBT, FRD等功率半導體產品的實際開發/生產經驗；
3.熟悉版圖設計(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)
4.具有項目管理能力，主動溝通能力及團隊協作能力；
相關待遇：
1) 公司提供系統的崗前培訓（包括行業、產品知識，技術技能等）；
2) 交五險一金（養老、醫療、失業、生育、工傷和住房公積金）；
3) 提供法定節假日、年假、婚假、生育假、有薪病假等；
4) 公司有完善的考核體系和晉升機制；
5) 其他的福利制度，如生日券，節日福利，員工慰問金，員工年度體檢，一年一次旅游。
6）成為核心員工，獲得公司股權激勵。
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